Intel официально объявила о заключении партнерского соглашения с фирмой SAIMEMORY (дочерняя структура SoftBank) в рамках которого компании будут разрабатывать и продвигать новый тип памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Данный вид DRAM предназначен для серверов и призван стать прямым конкурентом для памяти формата HBM (High Bandwidth Memory). Его разработка началась в середине 2025 года в рамках программы Advanced Memory Technology (AMT), инициированной Министерством энергетики США. Intel утверждает, что ZAM будет в 2-3 раза превосходить HBM по емкости, потребляя вдвое меньше энергии и будучи на 60 % дешевле в производстве. Добиться столь впечатляющих показателей удается за счет нового метода вертикального размещения нескольких слоев DRAM и использования технологии Intel Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) для уменьшения задержки между отдельными чипами.
